Lito zeminlerde, fotorezistin pişirilmesi sırasında kesinlikle ihmal edilemeyecek bir adımdır. Yumuşak veya sert pişirme işlemi sırasında 1°C’lik bir sapma bile kritik boyutları değiştirebilir ve yan duvarların profilini bozabilir. Wafer’da termal düzensizlikler meydana geldiğinde bunun bedelini ödersiniz: verim kaybı, tekrar işlemler ve hatta tüm ürünlerin atılması gibi durumlar ortaya çıkar. Bizim yarı iletken lazer diyodlu ısıtıcılarımız, waferin sıcaklığını ±0,1°C aralığında tutacak şekilde tasarlanmıştır; çünkü bu, prosesinizin kabul edebileceği en iyi değerdir.
İç yapının önemi
Kapalı döngülü kontrol sistemiyle çalışan NIR lazer diyodları sayesinde ısı hızlı ve lokal olarak uygulanır; böylece wafer üzerinde aşırı ısınma olmaz. Böylece aktif pişirme bölgesinde ±0,1°C’lik bir düzenlilik sağlanır ve partiden parte tekrarlanabilirlik ±0,05°C civarında kalır. Bu platform, 1’den 100’e kadar olan temiz oda sınıflarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır; malzemeler ve yüzey işlemleri, pişirme ve soğutma süreçlerinde parça üretiminin sıfır seviyesinde kalmasını sağlar. Güç sağlama sistemi ise 24 saat boyunca stabil kalır; 5.000 saatten fazla çalışan cihazlarda bile verim kaybı %5’in altındadır.
Fotorezist işlemlerinde bunun neden önemli olduğu
Sıcaklık hassasiyeti, çözücülerin uzaklaştırılmasını, kimyasal reaksiyonları ve sonuç olarak da aşındırma direncini belirler. Lazer diyodlu ısıtıcı sayesinde her pişirme adımında termal denge sağlanır; böylece kritik boyutlardaki değişiklikler azalır ve hat kenarlarının pürüzlülüğü kontrol altına alınır. Ayrıca hızlı termal tepki sayesinde daha kısa pişirme süreleri elde edilir; güç kullanımı da daha düşük olur ve bakım işlemleri azalır. Bu sistem mevcut kaplama/pişirme modüllerine kolayca entegre edilebilir; böylece proses kontrolü artırılırken mevcut yapı korunmuş olur.
Planlamanız gerekenler
Kurulum sürecinde optik yolun doğru şekilde hizalanması ve egzoz ve soğutma sistemlerinin uyumluluğunun sağlanması gerekmektedir. Isıtıcı, substratın arka yüzey koşulları sabit olduğunda en iyi performansı gösterir; film tabakaları, artıklar veya eğrilikler termal bağlantıyı bozar ve bunların da proses parametrelerine dahil edilmesi gerekir. Belirli wafer dizileri için sıcaklık profillerini belirlemek ve kontrol döngüsünü iş hızınıza göre ayarlamak için kısa bir test süreci planlayın.