در فرآیند نازکسازی ویفرها، این عملیات بسیار حساس به دماست. سیلیکون در صورتی که دمای آن به درستی کنترل نشود، ترک خواهد خورد؛ همچنین، تغییر دمای ۲ درجه سانتیگراد در سطح ویفر میتواند باعث ایجاد تنشهای ناهمگن شود که در نهایت منجر به کاهش بازدهی تولید میشود. ما پلتفرم گرمایشی مادون قرمز خود را بر اساس همین محدودیتها طراحی کردهایم؛ یعنی گرمایش کنترلشده، سریع و قابل تکرار، در حالی که ویفر هیچ حاشیه امنیتی ندارد.
آنچه اهمیت دارد، فیزیک پدیده و نحوه کنترل آن است. این سیستم از طول موجهای نزدیک به مادون قرمز استفاده میکند؛ این طول موجها با باندهای جذب قوی سیلیکون همپوشانی دارند، بنابراین انرژی به سرعت وارد سیلیکون میشود و گرمایش زیرساخت کمتری ایجاد میگردد. دما نیز به صورت لحظهای اندازهگیری میشود و در محدوده ±۰.۱ درجه سانتیگراد حفظ میگردد؛ این امر به نوبه خود منجر به کاهش خطاهای تولیدی میشود. شرایط محیطی نیز اهمیت زیادی دارد؛ این سیستم برای محیطهای کلاس ۱ تا ۱۰۰ طراحی شده است، و مواد و درزبندهای استفاده شده باعث کاهش تولید ذرات میشوند و انجام آزمایشهای استاندارد ISO کلاس ۵ را آسان میکنند.
دلیل موفقیت این روش این است که نازکسازی ویفرها نیاز به گرمایش سریع دارد، اما این گرمایش باید یکنواخت باشد. ماژول مادون قرمز این گرمایش سریع را بدون ایجاد نقاط گرم ایجاد میکند؛ این امر باعث بهبود یکنواختی ضخامت ویفر و کاهش میزان ضایعات ناشی از ترکهای ریز میشود. نتیجه این کار، کاهش تعداد محصولات بازسازیشده، عملکرد پایدار و الگوهای دمایی قابل پیشبینی است. مصرف انرژی نیز کاهش مییابد، زیرا منبع انرژی کارایی بالایی دارد و مدت زمان انتقال انرژی نیز کوتاه است.
نکته مهمی که باید در نظر گرفت این است که این ماژول کوچک است، اما نیاز به منبع تغذیه برق تمیز و دادههای دقیق مربوط به خاصیت انتشار گرمایی ویفر دارد. بنابراین، باید یک آزمایش کوتاه انجام شود تا پارامترهای لازم مشخص شوند؛ همچنین باید مطمئن شد که ابزارهای موجود برای نازکسازی ویفر قادر به پردازش سیگنالهای دمایی باشند. پس از هماهنگی این پارامترها، فرآیند نازکسازی با استقرار لازم انجام خواهد شد.