Làm mỏng wafer bằng phương pháp gia nhiệt bằng tia hồng ngoại

Wed, 17 Jun 2026 15:51:30 +0800

Trong quá trình làm mỏng wafer, việc cung cấp nhiệt là một thao tác đòi hỏi sự kiểm soát chính xác về mặt nhiệt độ. Silic có thể bị nứt khi nhiệt độ không được kiểm soát tốt; chỉ cần chênh lệch nhiệt độ 2°C trên bề mặt wafer cũng có thể gây ra sự không đồng đều về áp suất, từ đó dẫn đến tỷ lệ sản phẩm lỗi cao. Chúng tôi đã thiết kế hệ thống sưởi bằng tia hồng ngoại sao cho có khả năng cung cấp nhiệt một cách nhanh chóng và chính xác, trong khi vẫn duy trì nhiệt độ ổn định ở mức ±0,1°C trên toàn bộ bề mặt wafer.

Làm Mỏng Đi on Professional IR Heating Lamps

Làm mỏng wafer bằng phương pháp gia nhiệt bằng tia hồng ngoại