Verdunning wafer verwarming infrarood

Wed, 17 Jun 2026 15:51:30 +0800

Bij het dunner maken van de wafers is het proces zeer gevoelig voor temperatuurveranderingen. Silicium kan scheuren wanneer de warmteafgifte niet goed wordt geregeld. Een verschil van 2°C op het oppervlak kan leiden tot oneffenheden in de spanningen, wat vervolgens resulteert in minder goede kwaliteit van de producten. Onze infraroodverwarmingsoplossing is ontworpen met deze beperkingen in gedachten: een gecontroleerde, snelle en herhaalbare warmteafgifte, zodat er geen risico’s zijn voor de wafers.

Wat belangrijk is, is de fysica achter het proces en de controle over deze processen. Het systeem gebruikt nabij-infrarode golflengten die overeenkomen met de sterke absorptiebanden van silicium. Hierdoor wordt de energie snel overgedragen, zonder dat het substraat te veel opwarmt. De temperatuur wordt ter plekke gemeten en gehouden op ±0,1°C, waardoor de processen beter onder controle blijven. Ook de omgeving waarin het proces plaatsvindt is belangrijk: het systeem is ontworpen voor een klasse 1–100 omgeving, met materialen en sluitingen die het risico op deeltjesvorming tot een minimum beperken. Dit maakt het gemakkelijk om de vereisten voor ISO-klasse 5 na te komen.

Verdunnen on Professional IR Heating Lamps

Verdunning wafer verwarming infrarood