<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Oksidasi on Professional IR Heating Lamps</title>
		<link>http://ir-heat-lamp-pro.com/ms/tags/oksidasi/</link>
		<description>Recent content in Oksidasi on Professional IR Heating Lamps</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>ms</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Fri, 19 Jun 2026 06:06:06 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://ir-heat-lamp-pro.com/ms/tags/oksidasi/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Elemen pemanasan untuk proses oksidasi wafer</title>
				<link>http://ir-heat-lamp-pro.com/ms/posts/wafer-oxidation-heating-element/</link>
				<pubDate>Fri, 19 Jun 2026 06:06:06 +0800</pubDate>
				<guid>http://ir-heat-lamp-pro.com/ms/posts/wafer-oxidation-heating-element/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://ir-heat-lamp-pro.com/images/0a976f8a438e1a813cc995e9355a4471.png&#34; alt=&#34;Elemen pemanasan untuk proses oksidasi wafer&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Di kilang pemprosesan semikonduktor, kita akan belajar dengan cepat bahawa perubahan suhu yang kecil sekalipun boleh menyebabkan masalah yang serius. Perubahan suhu sebanyak 0.5°C semasa proses oksidasi boleh merosakkan &lt;a href=&#34;https://goldisgood.com&#34;&gt;integriti&lt;/a&gt; lapisan oksida pada permukaan semikonduktor. Dalam proses litografi pula, perbezaan suhu walaupun hanya beberapa darjah sahaja boleh menyebabkan variasi &lt;a href=&#34;https://o-yate.net&#34;&gt;ketebalan&lt;/a&gt; &lt;a href=&#34;https://henruite.com&#34;&gt;garisan&lt;/a&gt; pada permukaan semikonduktor. Ketepatan kawalan suhu bukanlah sesuatu yang boleh diabaikan; ia merupakan aspek penting dalam proses pengeluaran.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Apa yang benar-benar penting dalam proses ini&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;Kita menggunakan elemen pemanas berbasis inframerah gelombang pendek untuk proses oksidasi. Elemen ini mempunyai masa tindak balas yang cepat dan jisim haba yang rendah. Sistem ini mampu mengekalkan suhu yang stabil pada tahap ±0.1°C di seluruh permukaan wafer. Kawalan zon pula memastikan suhu tetap stabil walaupun beban kerja berubah. Sistem ini sesuai digunakan dalam bilik bersih kelas 1–100. Bahan-bahan yang digunakan juga dipilih agar penghasilan zarah-zarah kecil dapat dikurangkan. Proses pembakaran fotorezist dilakukan dengan ketepatan yang tinggi, sehingga dimensi semikonduktor dapat dikawal dengan baik dan kecacatan dapat dikurangkan.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
