Riscaldamento per assottigliamento dei wafer a infrarossi

Wed, 17 Jun 2026 15:51:30 +0800

Nel processo di sottilizzazione dei wafer, questa operazione è estremamente sensibile alle variazioni di temperatura. Il silicio sottile si crepa quando non viene gestita correttamente l’energia termica; anche una variazione di 2°C sulla superficie del wafer può causare disequilibri di carico che, in seguito, portano alla perdita di produttività. La nostra piattaforma di riscaldamento a infrarossi è stata progettata tenendo conto di queste limitazioni: permette un riscaldamento controllato, rapido e ripetibile, anche quando il wafer non ha alcuno spazio per assorbire ulteriore energia termica.

Diradamento on Professional IR Heating Lamps

Riscaldamento per assottigliamento dei wafer a infrarossi