Élément chauffant par oxydation de la wafer

Fri, 19 Jun 2026 06:06:05 +0800

Sur le site de fabrication, on apprend rapidement que de petites variations de température peuvent se transformer en gros problèmes. Une variation de 0,5 °C pendant l’oxydation peut nuire à l’intégrité de l’oxyde qui recouvre la surface du wafer. En lithographie, même une légère variation de température pendant le traitement thermique se traduit par des variations de largeur des lignes dessinées. La répétabilité thermique n’est pas un critère optional : c’est plutôt une exigence fondamentale du processus.

Chaleur haute précision pour wafer IR

Sun, 31 May 2026 04:51:34 +0800

Sur le plancher de production, le cluster de lithographie continue de fonctionner sans interruption. La piste alimente le wafer, la couche de résine tourne, le bord du film est décapé, et la cuisson doit se dérouler dans une fenêtre thermique très étroite — à chaque passage. Un décalage de 1°C lors du soft bake ou du hard bake modifie la dimension critique, perturbe les courbes d’oscillation et réduit la marge de dose. Lorsque le module de cuisson ne parvient pas à maintenir l’uniformité sur le wafer, les effets sont immédiats : « footing », accumulation de résidus et perte de rendement visibles directement dans les bacs de tests électriques.

Chaleur on Professional IR Heating Lamps

Élément chauffant par oxydation de la wafer

Chaleur haute précision pour wafer IR