<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>دیود on Professional IR Heating Lamps</title>
		<link>http://ir-heat-lamp-pro.com/fa/tags/%D8%AF%DB%8C%D9%88%D8%AF/</link>
		<description>Recent content in دیود on Professional IR Heating Lamps</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>fa</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Sat, 20 Jun 2026 05:51:26 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://ir-heat-lamp-pro.com/fa/tags/%D8%AF%DB%8C%D9%88%D8%AF/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>گرمکن دیود لیزر نیمههادی</title>
				<link>http://ir-heat-lamp-pro.com/fa/posts/semiconductor-laser-diode-heater/</link>
				<pubDate>Sat, 20 Jun 2026 05:51:26 +0800</pubDate>
				<guid>http://ir-heat-lamp-pro.com/fa/posts/semiconductor-laser-diode-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://ir-heat-lamp-pro.com/images/1764273a9805a56244015746cb190d47.png&#34; alt=&#34;گرمکن دیود لیزر نیمههادی&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;در فرآیند پختن رزست، نمی‌توان از روش‌های ساده برای کنترل دما استفاده کرد. حتی تغییر دما به میزان ۱ درجه سانتی‌گراد در حین فرآیند پخت، می‌تواند باعث تغییر ابعاد کلیدی واحدهای الکترونیکی شود و منجر به اختلالاتی در ساختار آن‌ها شود. همچنین، وجود عدم یکنواختی دمایی در ویفر، منجر به کاهش بازدهی تولید، نیاز به بازسازی واحدهای الکترونیکی، و حتی از بین رفتن کل محموله تولید شده خواهد شد. ما هیترهای لیزری مورد استفاده در تولید دیودهای لیزری را به گونه‌ای طراحی کرده‌ایم که دمای ویفر را در محدوده ±۰.۱ درجه سانتی‌گراد نگه دارد؛ زیرا این محدوده، محدوده تحمل فرآیند تولید است.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
