Wafer Oxidationsheizelement

Fri, 19 Jun 2026 06:06:05 +0800

In der Produktion lernt man schnell, dass kleine Temperaturunterschiede zu großen Problemen führen können. Eine Schwankung von 0,5 °C während des Oxidierungsprozesses kann bereits die Integrität des Oxidschutzes beeinträchtigen. In der Lithografie führt eine ungenaue Temperaturkontrolle – selbst um nur wenige Grad – zu Schwankungen in der Dicke der Schicht. Thermische Reproduzierbarkeit ist daher nicht nur von Vorteil, sondern ein wesentlicher Bestandteil des Prozesses.

Was wirklich wichtig ist
Wir verwenden für die Erhitzung der Wafer Oxidationskomponenten Kurzwellinfrarot-Emitter aus Quarz – diese bieten eine schnelle Reaktionszeit und eine geringe Wärmemasse. Das System gewährleistet eine Konstanz der Temperatur von ±0,1 °C auf dem gesamten Waferträger. Zudem hält die Zone-Kontrolle die gewünschte Temperatur konstant, auch wenn sich die Last ändert. Die Geräte eignen sich für Reinräume der Klasse 1–100. Die verwendeten Materialien und Verbindungen sind so gewählt, dass Partikelbildung und Ausgasung minimiert werden. Bei der Behandlung des Fotolacks werden die Temperaturen genau kontrolliert – dadurch bleibt die Genauigkeit der Abmessungen gewahrt und Defekte werden vermieden.

Oxidation on Professional IR Heating Lamps

Wafer Oxidationsheizelement